Número de pieza del fabricante
Std9n40m2
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento en un paquete TO-252-3 (DPAK)
Características del producto y rendimiento
400V de voltaje de drenaje a fuente (VDSS)
6A Corriente de drenaje continuo (ID) a 25 ° C
800mΩ máxima de resistencia (RDS (ON)) a 3A, 10V
Capacitancia de entrada máxima (CISS) de 270pf a 100V
Disipación máxima de potencia de 60W (TC)
Rango de temperatura de funcionamiento amplio: -55 ° C a 150 ° C
Ventajas de productos
Alta eficiencia debido a la baja resistencia
Diseño robusto con capacidades de manejo de alta tensión y corriente
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta potencia
Parámetros técnicos clave
Mosfet de canal N
400V de voltaje de drenaje a fuente (VDSS)
± 25V de voltaje de puerta a fuente (VGS)
800mΩ máxima de resistencia (RDS (ON)) a 3A, 10V
Capacitancia de entrada máxima (CISS) de 270pf a 100V
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
AEC-Q101 calificado
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de aplicaciones de conmutación de alta potencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Inversores
Controles industriales
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción
Opciones de reemplazo o actualización disponibles en STMicroelectronics
Varias razones clave para elegir este producto
Alta eficiencia y baja resistencia para mejorar el rendimiento del sistema
Diseño robusto con capacidades de manejo de alta tensión y corriente
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conmutación de alta potencia
Cumplimiento de ROHS3 y calificación AEC-Q101 para calidad y confiabilidad
Disponibilidad de opciones de reemplazo y actualización del fabricante
STD9807S5-TRGSEMTRON
STD9NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 5A DPAK