Número de pieza del fabricante
Std96n3llh6
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET MOSFET de alto rendimiento para la gestión de energía y las aplicaciones de conmutación.
Características del producto y rendimiento
Voltaje de fuente de drenaje de 30 V
80A Corriente de drenaje continuo
2mΩ máxima de resistencia
Capacidad de conmutación rápida
Alta densidad de potencia
Carga de puerta baja
Diseño robusto y confiable
Ventajas de productos
Optimizado para la eficiencia y el rendimiento térmico
Adecuado para aplicaciones de alta corriente y de alta frecuencia
Densidad de potencia mejorada y tamaño reducido del sistema
Excelente fiabilidad y robustez
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 30V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 20V
En resistencia (RDS (ON)): 4.2MΩ
Corriente de drenaje continuo (ID): 80a
Capacitancia de entrada (CISS): 2200pf
Disipación de potencia (TC): 70W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete DPAK para un rendimiento térmico mejorado
Diseño robusto y confiable
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de administración de energía y conmutación
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Inversores
Suministros de alimentación de modo conmutado
Electrónica industrial y automotriz
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible, no se espera una interrupción en el futuro cercano
Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el fabricante
Razones clave para elegir este producto
Alta eficiencia y rendimiento térmico
Adecuado para aplicaciones de alta corriente y alta frecuencia
Excelente fiabilidad y robustez
Optimizado para la densidad de potencia y el tamaño reducido del sistema
Cumplimiento de ROHS3 y envasado de grado industrial
STD9807S5-TRGSEMTRON
STD9N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK