Número de pieza del fabricante
Std9nm40n
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET en modo de mejora del canal N de alto rendimiento MOSFET
Características del producto y rendimiento
Voltaje de fuente de drenaje hasta 400 V
Baja resistencia de 790mΩ
Corriente de drenaje continuo de 5.6a a 25 ° C
Capacitancia de entrada de 365pf
Disipación de potencia de 60W
Ventajas de productos
Excelente eficiencia y densidad de potencia
Bajas pérdidas de conmutación y conducción
Diseño robusto y confiable
Parámetros técnicos clave
Tecnología MOSFET
Modo de mejora del canal N
VDSS: 400V
VGS (máximo): ± 25V
RDS (ON) (Max): 790mΩ
ID (cont): 5.6a
CISS (máximo): 365pf
PD (máximo): 60W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para entornos duros
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía
Áreas de aplicación
Alimentación de modo conmutado (SMPS)
Impulso del motor
Inversores de poder
Electrodomésticos industriales y caseros
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción
Reemplazos y actualizaciones disponibles
Razones clave para elegir este producto
Excelente capacidad de manejo de potencia
Lead de la industria baja en resistencia
Diseño confiable y robusto
Adecuado para aplicaciones electrónicas de energía de alto rendimiento
STDC1150XXBCEA3CONEXANT
STD9NM60N-1STMicroelectronics