Número de pieza del fabricante
PD85006-E
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
El PD85006-E es un producto semiconductor discreto, específicamente un transistor de efecto transistor (FET), transistor de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor (MOSFET)-RF (radiofrecuencia) de stmicroelectriconics.
Características del producto y rendimiento
Tecnología de LDMOS (Tecnología de óxido de metal-óxido de metal difundido lateralmente)
Potencia de salida de 6W
Corriente de prueba de 200 mA
Voltaje nominal de 40V
Ganancia de 17dB
Voltaje de prueba de 13.6V
Calificación actual de 2A
Frecuencia de operación de 870MHz
Ventajas de productos
Tecnología LDMOS robusta y confiable
Adecuado para aplicaciones de amplificador de potencia de RF
Potencia compacta y eficiente
Parámetros técnicos clave
Paquete: Potersso-10 almohadilla inferior expuesta
Cumplimiento de ROHS: ROHS3 Cumpliendo
Características de calidad y seguridad
Embalaje del fabricante: 10-POWERSO
Envasado de tubo
Compatibilidad
No se proporciona información de compatibilidad específica.
Áreas de aplicación
Aplicaciones de amplificador de potencia de RF
Ciclo de vida del producto
No se proporciona información sobre el ciclo de vida del producto o la disponibilidad de reemplazos/actualizaciones.
Razones clave para elegir este producto
Tecnología LDMOS robusta y confiable
Adecuado para aplicaciones de amplificador de potencia de RF eficientes
Potencia compacta y eficiente
PD85015-E