Número de pieza del fabricante
PD85025-E
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Producto de semiconductores discretos
Transistores fets, MOSFETS RF
Características del producto y rendimiento
Tecnología LDMOS
Potencia de salida: 10W
Corriente de prueba: 300 mA
Voltaje nominal: 40V
Ganancia: 17.3db
Voltaje de prueba: 13.6V
Calificación actual: 7a
Frecuencia: 870MHz
Ventajas de productos
ROHS3 Cumplante
Almohadilla inferior expuesta para mejorar la gestión térmica
Parámetros técnicos clave
Paquete: PowerSo-10RF (plomo formado)
Embalaje del fabricante: tubo
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Compatibilidad
Powersso-10RF Pad, la almohadilla inferior expuesta (2 cables formados)
Áreas de aplicación
Adecuado para aplicaciones de amplificador de potencia de RF
Ciclo de vida del producto
Modelo de producción actual, no se planea la interrupción
Varias razones clave para elegir este producto
Excelente potencia de salida de 10W
Alta ganancia de 17.3dB
Amplio rango de voltaje de funcionamiento de hasta 40 V
Gestión térmica eficiente con almohadilla inferior expuesta
Cumplimiento de ROHS3 para la responsabilidad ambiental

PD85015-E