Número de pieza del fabricante
PD84006L-E
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Este producto es un transistor de radiofrecuencia (RF) de alto rendimiento y basado en LDMOS que está diseñado para su uso en varias aplicaciones de comunicación inalámbrica.
Características del producto y rendimiento
Proporciona una potencia de salida de 2W
Funciona a una corriente de prueba de 150 mA
Clasificado para un voltaje de 25V
Ofrece una ganancia de 15dB
Probado a un voltaje de 7.5V
Calificación para una corriente de 5a
Opera a una frecuencia de 870MHz
Ventajas de productos
Excelente rendimiento de alta frecuencia
Tecnología LDMOS robusta y confiable
Paquete PowerFlat (5x5) compacto
ROHS3 Cumple con el cumplimiento ambiental
Parámetros técnicos clave
Paquete: 8powervdfn, Powerflat (5x5)
Embalaje: cinta y carrete (tr)
Tecnología: LDMOS
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumple con las regulaciones ambientales
Compatibilidad
Este transistor de RF es compatible con varios sistemas y aplicaciones de comunicación inalámbrica que operan dentro de su frecuencia y rango de potencia especificados.
Áreas de aplicación
Sistemas de comunicación inalámbrica
Amplificadores de potencia de radiofrecuencia (RF)
Estaciones base celulares
Equipo de infraestructura inalámbrica
Ciclo de vida del producto
El PD84006L-E es un producto activo y no está cerca de la interrupción.Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el fabricante, Stmicroelectronics.
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento de alta frecuencia para una comunicación inalámbrica eficiente
Tecnología LDMOS robusta y confiable para operaciones duraderas
Paquete PowerFlat (5x5) compacto y de ahorro de espacio (5x5)
Cumplimiento de ROHS3 para la sostenibilidad ambiental
Compatibilidad con una amplia gama de aplicaciones de comunicación inalámbrica
PD83-01B/L458/2R(HTC)Everlight Electronics
PD83000GAC-0100Microsemi CorporationPOE PSE CONTROLLER
PD84002STMicroelectronicsFET RF 25V 870MHZ