Número de pieza del fabricante
PD84010-E
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de radiofrecuencia (RF)
Características del producto y rendimiento
2W Potencia de salida
Ganancia de 3dB
Opera a la frecuencia de 870MHz
Voltaje nominal de 40V
8A Calificación actual
Figura de bajo ruido
Ventajas de productos
Adecuado para aplicaciones de amplificador de potencia de RF
Tecnología LDMOS confiable y robusta
ROHS3 Cumplante
Parámetros técnicos clave
Potencia de salida: 2W
Corriente de prueba: 300 mA
Voltaje nominal: 40V
Ganancia: 16.3db
Voltaje de prueba: 7.5V
Calificación actual: 8a
Frecuencia: 870MHz
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Compatibilidad
Compatible con el paquete PowerSo-10RF (plomo formado)
Áreas de aplicación
Adecuado para aplicaciones de amplificador de potencia de RF en comunicaciones inalámbricas, estaciones base y sistemas de RF similares
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible, no hay información sobre la interrupción
Razones clave para elegir este producto
Tecnología LDMOS confiable
Alta potencia de salida y ganancia
Adecuado para aplicaciones de frecuencia de 870MHz
Cumplimiento de ROHS3 para la seguridad ambiental

PD85015-E