- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
APT10SCE120B.pdfPCN obsolescencia/ EOL
Mult Devices 16/Oct/2017.pdfEspecificaciones tecnológicas APT10SCE120B
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Microsemi Corporation - APT10SCE120B con especificaciones similares a Microsemi Corporation - APT10SCE120B
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Microsemi | |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.8 V @ 10 A | |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 1200 V | |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| Paquete del dispositivo | TO-247 | |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Serie | - | |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Paquete / Cubierta | TO-247-2 | |
| Paquete | Tube | |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 200 µA @ 1200 V | |
| Corriente - rectificada media (Io) | 43A | |
| Capacitancia Vr, F | 630pF @ 1V, 1MHz |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Microsemi Corporation APT10SCE120B
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | APT10SCE170B | APT10SCD120B | APT10SCD120K | APT10SCE65B |
| Fabricante | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| Capacitancia Vr, F | - | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Corriente - rectificada media (Io) | - | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | - | - | - | - |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | - | - | - | - |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Serie | - | - | - | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - | - | - | - |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | - | - | - | - |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | - | - | - | - |
| Velocidad | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF APT10SCE120B y la documentación Microsemi Corporation para APT10SCE120B - Microsemi Corporation.
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 75A TO247
APT10M25SVRAPTIGBT Module
APT11F80BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 12A TO247
APT1147APTIGBT Module
APT11F80SMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
APT10SCD120KMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220
APT10M30AVRAPTIGBT Module
APT10SCE170BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.7KV 23A TO247
APT10SCD65KMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 650V 17A TO220
APT110GL100JNAPTIGBT Module
APT10SCD120BCTMicrosemi CorporationDIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
APT10SCE65BMicrosemi CorporationDIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247
APT11GF120BRDQ1GMicrosemi CorporationIGBT 1200V 25A 156W TO247
APT10SCD120BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 36A TO247
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
APT10SCE65KMicrosemi CorporationDIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220Su dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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