- Jess***Jones
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $8.051 | $8.05 |
| 200+ | $3.213 | $642.60 |
| 500+ | $3.105 | $1,552.50 |
| 1000+ | $3.052 | $3,052.00 |
Especificaciones tecnológicas APT11F80B
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Microchip Technology - APT11F80B con especificaciones similares a Microchip Technology - APT11F80B
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Microchip Technology | |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | TO-247 [B] | |
| Serie | POWER MOS 8™ | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 900mOhm @ 6A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 337W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 | |
| Paquete | Tube |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2471 pF @ 25 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) | |
| Número de producto base | APT11F80 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Microchip Technology APT11F80B
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | APT11F80S | APT11N80BC3G | APT11N80KC3G | APT1201R2BLLG |
| Fabricante | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Serie | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | - | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - | - | - | - |
| Número de producto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| La disipación de energía (máximo) | - | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF APT11F80B y la documentación Microchip Technology para APT11F80B - Microchip Technology.
APT10SCE65BMicrosemi CorporationDIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247
APT10SCD65KMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 650V 17A TO220
APT1147APTIGBT Module
APT11F80SMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
APT11GP60BDQBGMicrosemi CorporationIGBT 600V 41A 187W TO247
APT1201R2BLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 12A TO247
APT10SCE120BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 43A TO247
APT1201R2BFLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 12A TO247
APT10SCE65KMicrosemi CorporationDIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220
APT11N80BC3GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 11A TO247
APT11GF120BRDQ1GMicrosemi CorporationIGBT 1200V 25A 156W TO247
APT10SCE170BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.7KV 23A TO247
APT1201R4BFLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 9A TO247
APT110GL100JNAPTIGBT Module
APT10SCD120KMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220Su dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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