- Jess***Jones
- 17/04/2026
PCN obsolescencia/ EOL
Mult Devices 16/Oct/2017.pdfEspecificaciones tecnológicas APT10SCD65KCT
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Microsemi Corporation - APT10SCD65KCT con especificaciones similares a Microsemi Corporation - APT10SCD65KCT
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Microsemi | |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.8 V @ 10 A | |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 650 V | |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| Paquete del dispositivo | TO-220 | |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Serie | - | |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 | |
| Paquete | Bulk | |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode | |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 200 µA @ 650 V | |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 17A | |
| Número de producto base | APT10S |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Microsemi Corporation APT10SCD65KCT
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | APT10SCD65KCT | APT10SCD120BCT | APT10SCD120K | APT110GL100JN |
| Fabricante | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | APT |
| Paquete | Bulk | Tube | Tube | - |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 17A | 36A (DC) | - | - |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 650 V | 1200 V | 1200 V | - |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | - |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.8 V @ 10 A | 1.8 V @ 10 A | 1.5 V @ 10 A | - |
| configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | - | - |
| Número de producto base | APT10S | APT10S | - | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | - |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 200 µA @ 650 V | 200 µA @ 1200 V | - | - |
| Paquete del dispositivo | TO-220 | TO-247 | TO-220-2 | - |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 | TO-247-3 | TO-220-2 | - |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
Descargue las hojas de datos PDF APT10SCD65KCT y la documentación Microsemi Corporation para APT10SCD65KCT - Microsemi Corporation.
APT10SCD120KMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220
APT110GL100JNAPTIGBT Module
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
APT10SCE170BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.7KV 23A TO247
APT10SCE120BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 43A TO247
APT10SCE65BMicrosemi CorporationDIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247
APT10SCD120BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 36A TO247
APT10SCD120BCTMicrosemi CorporationDIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
APT11F80BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 12A TO247
APT10M30AVRAPTIGBT Module
APT10SCD65KMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 650V 17A TO220
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 75A TO247
APT1147APTIGBT Module
APT11F80SMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
APT10M19SVRAPTIGBT Module
APT11GF120BRDQ1GMicrosemi CorporationIGBT 1200V 25A 156W TO247
APT10SCE65KMicrosemi CorporationDIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220
APT10M25SVRAPTIGBT ModuleSu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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