- Jess***Jones
- 17/04/2026
PCN obsolescencia/ EOL
Mult Devices 16/Oct/2017.pdfEspecificaciones tecnológicas APT10SCD65K
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Microsemi Corporation - APT10SCD65K con especificaciones similares a Microsemi Corporation - APT10SCD65K
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Microsemi | |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.8 V @ 10 A | |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 650 V | |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| Paquete del dispositivo | TO-220-2 | |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Serie | - | |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Paquete / Cubierta | TO-220-2 | |
| Paquete | Bulk | |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 200 µA @ 650 V | |
| Corriente - rectificada media (Io) | 17A | |
| Capacitancia Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Microsemi Corporation APT10SCD65K
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | APT10SCE65K | APT10SCE65B | APT10SCD120K | APT10SCD120B |
| Fabricante | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| Capacitancia Vr, F | - | - | - | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - | - | - | - |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | - | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Velocidad | - | - | - | - |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | - | - | - | - |
| Corriente - rectificada media (Io) | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF APT10SCD65K y la documentación Microsemi Corporation para APT10SCD65K - Microsemi Corporation.
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 75A TO247
APT10M19SVFRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
APT10SCE170BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.7KV 23A TO247
APT11F80BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 12A TO247
APT10SCE65KMicrosemi CorporationDIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220
APT10SCD120BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 36A TO247
APT10SCE65BMicrosemi CorporationDIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247
APT10SCD120KMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220
APT10SCD120BCTMicrosemi CorporationDIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
APT110GL100JNAPTIGBT Module
APT1147APTIGBT Module
APT10M19SVRAPTIGBT Module
APT10M30AVRAPTIGBT Module
APT11F80SMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
APT10SCE120BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 43A TO247
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
APT10M25SVRAPTIGBT ModuleSu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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