Número de pieza del fabricante
CSD18504kcs
Fabricante
Instrumentos de Texas
Introducción
Transistor MOSFET de canal de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Capaz de manejar la corriente alta y el voltaje
Baja resistencia a la conversión de energía eficiente
Velocidad de conmutación rápida y carga de puerta baja para aplicaciones de alta frecuencia
Ventajas de productos
Excelente rendimiento térmico y manejo de potencia
Construcción confiable y robusta
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 40V
Voltaje máximo de fuente de puerta (VGS): ± 20V
En resistencia (RDS (ON)): 7MΩ @ 40A, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 53A (TA), 100A (TC)
Capacitancia de entrada (CISS): 1800pf @ 20V
Disipación de potencia (máximo): 115W (TC)
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseñado y fabricado con estándares de alta calidad
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Inversores
Amplificadores de potencia
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Apoyado activamente por el fabricante
Opciones de reemplazo y actualización disponibles
Razones clave para elegir este producto
Excelente relación rendimiento-costo
Manejo de potencia confiable y eficiente
Adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y alta corriente
Historial comprobado en una amplia gama de diseños de electrónica de potencia
