MMBFJ113 (1)
Número de pieza del fabricante
Mmbfj113
Fabricante
onde
Introducción
MMBFJ113 es un transistor JFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificador de alto rendimiento.Está encapsulado en un paquete compacto SOT-23-3, adecuado para la tecnología de montaje en superficie (SMT).
Características del producto y rendimiento
Tecnología JFET de canal N
Voltaje de desglose: 35 V
Drene la corriente (idss) @ vds (vgs = 0): 2 mA @ 15 V
Corte de voltaje (VGS OFF) @ ID: 500 MV @ 1 µA
Disipación de potencia de hasta 350 MW
Alta resistencia: RDS (encendido) 100 ohmios
Rango de temperatura de funcionamiento: -55 ° C ~ 150 ° C
Ventajas de productos
El voltaje de alto desglose garantiza la confiabilidad en aplicaciones de alto voltaje.
El bajo voltaje de corte mejora la operación de baja potencia.
El rango operativo de alta temperatura garantiza la estabilidad en condiciones extremas.
El paquete compacto SOT-23-3 permite un uso eficiente del espacio PCB.
Parámetros técnicos clave
Desglose de voltaje (V (BR) GSS): 35 V
Drenaje actual (IDSS): 2 mA @ 15 V
Corte de voltaje (VGS OFF): 500 MV @ 1 µA
Power Max: 350 MW
Resistencia RDS (ON): 100 ohmios
Características de calidad y seguridad
MMBFJ113 proporciona una operación confiable en condiciones ambientales de gran alcance, asegurando tanto la calidad como la seguridad en sus aplicaciones.
Compatibilidad
Su paquete SOT-23-3 es ampliamente compatible con las tecnologías de montaje de superficie estándar, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de placas y equipos de circuito.
Áreas de aplicación
Amplificadores
Circuitos de conmutación
Circuitos de suministro de energía
Ciclo de vida del producto
El MMBFJ113 está actualmente marcado como activo, lo que indica una producción y disponibilidad en curso.No se ha emitido un aviso de interrupción, lo que garantiza el apoyo continuo y la disponibilidad.
Varias razones clave para elegir este producto
Alta confiabilidad y rendimiento en la conmutación y amplificación.
Adecuado para aplicaciones de alto voltaje debido a su voltaje de desglose de 35 V.
Bajo consumo de energía facilitado por su voltaje de corte de 500 mV.
El alto rango de temperatura de funcionamiento garantiza la estabilidad del rendimiento en condiciones difíciles.
Su paquete compacto SOT-23-3 lo hace ideal para aplicaciones con restricciones espaciales.
MMBFJ175LT1onsemiMOSFET SS P-CHAN 25V SOT23
MMBFJ175Fairchild SemiconductorJFET P-CH 30V SOT23-3
MMBFJ175LT3GonsemiJFET P-CH 30V SOT23-3
MMBF5486LT1GAMI Semiconductor/onsemi
MMBFJ112 MOSFairchild (onsemi)
