MMBFJ110 (1)
Número de pieza del fabricante
Mmbfj110
Fabricante
onde
Introducción
El MMBFJ110 es un JFET N-canal de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de conmutación electrónica.
Características del producto y rendimiento
Tipo de FET: canal N
Voltaje - Desglose (V (BR) GSS): 25 V
Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0): 10 mA @ 15 V
Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID: 4 V @ 10 Na
Resistencia - RDS (ON): 18 ohmios
Potencia - Max: 460 MW
Temperatura de funcionamiento: hasta 150 ° C (TJ)
Tipo de montaje: soporte de superficie
Ventajas de productos
Bajo en resistencia
Voltaje de desglose alto
Voltaje de corte bajo
Durable con alto rango de temperatura de funcionamiento
Adecuado para aplicaciones de tecnología montadas en la superficie
Parámetros técnicos clave
Voltaje - Desglose: 25 V
Actual - drenaje: 10 mA @ 15 V
Voltaje - Corte: 4 V @ 10 Na
Resistencia - RDS (ON): 18 ohmios
Potencia - Max: 460 MW
Temperatura de funcionamiento: 150 ° C
Características de calidad y seguridad
El dispositivo funciona de manera confiable a altas temperaturas de hasta 150 ° C
Compatibilidad
Compatible con el tipo de montaje SOT-23-3
Áreas de aplicación
Cambio de aplicaciones en electrónica
Control de señal analógica
Ciclo de vida del producto
Estado del producto: activo
No se informó un riesgo inmediato de interrupción
Varias razones clave para elegir este producto
Alto rendimiento con baja resistencia
Confiabilidad mejorada con un alto voltaje de desglose
Gestión de energía eficiente con una especificación de voltaje de corte bajo
Opera de manera eficiente a temperaturas elevadas de hasta 150 ° C
Viene en un paquete SOT-23-3 comúnmente utilizado adecuado para diseños compactos
MMBF5484LT1GonsemiJFET N-CH 25V SOT23-3
MMBF5485onsemiJFET N-CH 25V 10MA SOT23
MMBFJ175Fairchild SemiconductorJFET P-CH 30V SOT23-3
MMBFJ170LT1GAMI Semiconductor/onsemi
MMBF5486-NLFairchild (onsemi)
