MMBFJ108 (1)
Número de pieza del fabricante
Mmbfj108
Fabricante
onde
Introducción
El MMBFJ108 es una pequeña señal N-canal JFET de ONSEMI, específicamente diseñada para aplicaciones de alto rendimiento.Con una baja resistencia a la resistencia y un alto voltaje de desglose, es óptimo para las aplicaciones de conmutación y amplificadores.
Características del producto y rendimiento
FET de canal N para procesamiento de señal eficiente
El voltaje de desglose alto de 25 V asegura un funcionamiento robusto bajo estrés
Baja corriente de drenaje de 80 mA a 15 V para eficiencia energética
El límite de voltaje a 3 V permite un control preciso sobre los estados de funcionamiento
Capacitancia de entrada mínima
Baja resistencia a 8 ohmios para una conductividad mejorada
Disipación de potencia máxima de 350 MW para un rendimiento sostenido
El rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C
Ventajas de productos
Capacidad de manipulación de alto voltaje y corriente
Uso de energía eficiente y baja fuga
Excelente rendimiento térmico
Integridad de la señal mejorada debido a la resistencia mínima
Paquete compacto SOT-23-3 adecuado para diseños de PCB de alta densidad
Parámetros técnicos clave
Tipo de FET: canal N
Voltaje de desglose (V (BR) GSS): 25 V
Drene la corriente (idss) @ vds (vgs = 0): 80 mA @ 15 V
Voltaje de corte (VGS OFF) @ ID: 3 V @ 10 Na
En resistencia (RDS (ON)): 8 ohmios
Potencia (máximo): 350 MW
Rango de temperatura de funcionamiento: -55 ° C a 150 ° C
Tipo de montaje: soporte de superficie
Paquete/Caso: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Características de calidad y seguridad
Control de calidad riguroso para operaciones confiables
Cumple con las regulaciones de seguridad estándar de la industria
Compatibilidad
Compatible con procesos de montaje en superficie estándar
Versátil para la integración en varios diseños de circuitos
Áreas de aplicación
Conmutación de señal
Circuitos de amplificación
Gestión de energía
Circuitos analógicos
Sistemas de telecomunicaciones
Ciclo de vida del producto
Estado: Activo
Actualmente no está llegando a la interrupción, con soporte y disponibilidad continuos
Varias razones clave para elegir este producto
Alto rendimiento con baja resistencia a la resistencia y alto voltaje de descomposición
Amplio rango de temperatura de funcionamiento para su uso en condiciones extremas
Consumo de energía eficiente adecuado para aplicaciones de baja potencia
Paquete robusto ideal para diseños compactos y de alta densidad
Fabricante confiable con historial probado en tecnología de semiconductores
MMBF5484LT1GonsemiJFET N-CH 25V SOT23-3
MMBF5485onsemiJFET N-CH 25V 10MA SOT23
MMBF5486-NLFairchild (onsemi)
MMBFJ174AMI Semiconductor/onsemi
