Número de pieza del fabricante
STP7N95K3
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Mosfet de potencia de alto voltaje y canal en un paquete TO-220
Características del producto y rendimiento
Alto voltaje de desglose de drenaje a fuente de 950V
Baja resistencia (RDS (ON)) de 1.35Ω a 3.6a, 10V
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C
Capacitancia de entrada baja de 1031pf a 100V
Corriente de drenaje continuo (id) de 7.2a a 25 ° C
Ventajas de productos
Excelente capacidad de manejo de alto voltaje
Bajas pérdidas de energía debido a la baja resistencia
Operación confiable en un amplio rango de temperatura
Compacto al paquete de 220
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDS): 950V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 1.35Ω a 3.6a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 7.2a a 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 1031pf a 100V
Disipación de potencia (PD): 150W en TC
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Ubicado en un paquete confiable para 220
Compatibilidad
Adecuado para una variedad de aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Áreas de aplicación
Adecuado para su uso en alimentos, unidades de motor y otros circuitos de alto voltaje y alta potencia
Ciclo de vida del producto
Este producto es una parte activa y ampliamente utilizada en la cartera de stmicroelectronics
No hay planes para la interrupción, y las piezas de reemplazo están disponibles
Varias razones clave para elegir este producto
Excelente capacidad de manejo de alto voltaje de hasta 950 V
Baja resistencia a la conversión de energía eficiente
Rango de temperatura de funcionamiento amplio para operaciones confiables
Paquete compacto y confiable para 220
Cumplimiento de ROHS3 para la responsabilidad ambiental
Fácilmente disponible y apoyado activamente por el fabricante
STP7N52K3STMicroelectronics
STP7NB60FP
STP7N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5A TO220
STP7N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6A TO220