Número de pieza del fabricante
STP7N90K5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de canal de alto rendimiento y alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Optimizado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Bajas pérdidas en resistencia y conmutación
Velocidad de conmutación rápida
Diseño confiable y robusto
Ventajas de productos
Excelente eficiencia energética
Operación de alto voltaje de hasta 900 V
Baja resistencia térmica
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 900V
VGS (máximo): ± 30V
Rds on (max) @ id, VGS: 810mohm @ 4a, 10V
Drenaje continuo actual (ID) @ 25 ° C: 7a (TC)
Capacitancia de entrada (CISS) (Max) @ VDS: 425pf @ 10V
Disipación de potencia (máximo): 110W (TC)
VGS (th) (max) @ id: 5V @ 100A
Gate Charge (QG) (Max) @ VGS: 17.7nc @ 10V
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseño confiable y robusto
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Inversores
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible
No hay planes de interrupción
Varias razones clave para elegir este producto
Excelente eficiencia energética y operación de alto voltaje
Bajas pérdidas de resistencia y conmutación para un mejor rendimiento
Velocidad de conmutación rápida para aplicaciones de alta frecuencia
Diseño confiable y robusto para el uso a largo plazo
Amplia gama de aplicaciones en electrónica industrial y de consumo
STP7NB80STMicroelectronics
STP7NB60FP MOS