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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTP18N60DM2
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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STP18N60DM2 - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STP18N60DM2
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STP18N60DM2
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Embalaje
TO-220
Ficha de datos
1.STP18N60DM2.pdf ...

Hojas de datos

STP18N60DM2.pdf

Diseño/especificación de PCN

Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf

Ensamblaje de PCN/origen

Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STP18N60DM2
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STP18N60DM2 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STP18N60DM2

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220  
Serie MDmesh™ DM2  
RDS (Max) @Id, Vgs 295mOhm @ 6A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 90W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Número de producto base STP18  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

STP18N60DM2

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

El STP18N60DM2 es un transistor MOSFET N-canal de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de conmutación de alimentación.

Características del producto y rendimiento

Voltaje de drenaje a fuente de 600 V (VDSS)

12A Corriente de drenaje continuo (ID) a 25 ° C

295mΩ máxima de resistencia (RDS (ON)) a 6A, 10V

Capacitancia de entrada máxima (CISS) de 800pf a 100V

Disipación máxima de potencia de 90W en TC

Voltaje de umbral de puerta máximo de 5V (VGS (TH)) a 250A

20 nc de carga de puerta máxima (QG) a 10V

Ventajas de productos

Capacidades de manipulación de alto voltaje y corriente

Baja resistencia a la conmutación eficiente de alimentación

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión y control de energía

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V

En resistencia (RDS (ON)): 295MΩ @ 6a, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID): 12a @ 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS): 800pf @ 100V

Disipación de potencia (TC): 90W

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Paquete TO-220 para el montaje seguro y la disipación de calor

Compatibilidad

Compatible con una amplia gama de productos electrónicos y sistemas de control de potencia

Áreas de aplicación

Cambio y control de encendido

Conversión de potencia

Impulso del motor

Fuente de alimentación

Inversores y convertidores

Ciclo de vida del producto

El STP18N60DM2 es una oferta de productos activo y continuo de STMicroelectronics.

Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles, dependiendo de los requisitos de aplicación.

Razones clave para elegir este producto

Capacidades de manipulación de alto voltaje y corriente

Baja resistencia a la conmutación eficiente de alimentación

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión y control de energía

Paquete robusto a 220 para el montaje seguro y la disipación de calor

Cumplimiento de ROHS3 para la responsabilidad ambiental

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STP18N60DM2

Atributo del producto STP18N60M2 STP18NM60ND STP18N60M6 STP18N65M2
Número de pieza STP18N60M2 STP18NM60ND STP18N60M6 STP18N65M2
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs - - - -
Característica de FET - - - -
Temperatura de funcionamiento - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
La disipación de energía (máximo) - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Número de producto base - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
Vgs (Max) - - - -
Tipo FET - - - -
Paquete - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tipo de montaje - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tecnología - - - -
Paquete / Cubierta - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Serie - - - -
Paquete del dispositivo - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
VGS (th) (Max) @Id - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C - - - -

STP18N60DM2 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STP18N60DM2 y la documentación STMicroelectronics para STP18N60DM2 - STMicroelectronics.

Hojas de datos
STP18N60DM2.pdf
Diseño/especificación de PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Ensamblaje de PCN/origen
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf

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Productos recomendados

Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    19/06/2024

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    19/06/2024

    Morrey was very helpful and right on top of things!
    He replied quickly to my RFQ. He was very courteous and professional.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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