- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
STP18N60M6.pdfEnsamblaje de PCN/origen
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf¿Quieres un mejor precio?
Agregar al carro y Envíe RFQ ahora, nos pondremos en contacto con usted de inmediato.
| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $2.204 | $2.20 |
| 200+ | $0.88 | $176.00 |
| 500+ | $0.85 | $425.00 |
| 1000+ | $0.835 | $835.00 |
Especificaciones tecnológicas STP18N60M6
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STP18N60M6 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STP18N60M6
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.75V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | TO-220 | |
| Serie | MDmesh™ M6 | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 280mOhm @ 6.5A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 110W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 | |
| Paquete | Tube |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 100 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 16.8 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) | |
| Número de producto base | STP18 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STP18N60M6
| Atributo del producto | ![]() |
|
|---|---|---|
| Número de pieza | STP18N60M6 | STM32F303RDT6TR |
| Fabricante | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600 V | - |
| Serie | MDmesh™ M6 | STM32F3 |
| Número de producto base | STP18 | - |
| Característica de FET | - | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | Surface Mount |
| Vgs (Max) | ±25V | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 100 V | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 16.8 nC @ 10 V | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) | - |
| Paquete del dispositivo | TO-220 | 64-LQFP (10x10) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.75V @ 250µA | - |
| Tipo FET | N-Channel | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - |
| La disipación de energía (máximo) | 110W (Tc) | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 280mOhm @ 6.5A, 10V | - |
| Paquete | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 | 64-LQFP |
Descargue las hojas de datos PDF STP18N60M6 y la documentación STMicroelectronics para STP18N60M6 - STMicroelectronics.
Su dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
¿Quieres un mejor precio? Agregar al carro y Envíe RFQ ahora, nos pondremos en contacto con usted de inmediato.