Número de pieza del fabricante
STP16NF06
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de potencia de canal N
Características del producto y rendimiento
Mosfet de energía de alta eficiencia con baja resistencia
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento y alto rendimiento
Capaz de manejar hasta 16A corriente de drenaje continuo a 25 ° C
Voltaje de fuente de drenaje de hasta 60 V
Carga de puerta muy baja para conmutación rápida
El rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 175 ° C
Ventajas de productos
Excelente gestión térmica con paquete To-220
Alta densidad de potencia y eficiencia
Capacidad de conmutación rápida
Rendimiento robusto y confiable
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 60V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 20V
En resistencia (RDS (ON)): 100MΩ @ 8a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 16a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 315pf @ 25V
Disipación de potencia (PD): 45W @ TC
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete robusto a 220 a través de los agujeros
Diseñado para una alta fiabilidad y una larga vida útil
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de circuitos electrónicos y diseños de fuente de alimentación
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Automatización y control industrial
Electrónica automotriz
Equipo de telecomunicaciones
Ciclo de vida del producto
Este producto se encuentra actualmente en producción activa y no está a punto de interrumpir
Las opciones de reemplazo o actualización están disponibles si es necesario
Razones clave para elegir
Excelente eficiencia energética y gestión térmica
Rendimiento de conmutación rápido y confiable
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Construcción robusta y duradera
Amplia compatibilidad e idoneidad para diversas aplicaciones
STP16NE06FPSTCHN
STP16N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 12A TO220-3