Número de pieza del fabricante
STP16N65M5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Este producto es un transistor MOSFET de canal N de alto rendimiento con un voltaje máximo de fuente de drenaje de 650V y una corriente de drenaje continuo de 12A.
Características del producto y rendimiento
Voltaje de desglose alto de 650V
Baja resistencia de 299mohm
Alta capacidad de corriente de 12A
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C
Capacitancia de entrada baja de 1250pf
Disipación de alta potencia de 90W
Ventajas de productos
Excelentes capacidades de manejo de potencia
Rendimiento robusto y confiable
Adecuado para aplicaciones de alto voltaje y de alta corriente
Diseño eficiente y de ahorro de energía
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 650V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 299mohm
Corriente de drenaje continuo (ID): 12a
Capacitancia de entrada (CISS): 1250pf
Disipación de potencia (TC): 90W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para el montaje de agujeros
Operación estable y confiable dentro del rango de temperatura especificado
Compatibilidad
Este MOSFET es compatible con varias aplicaciones de alto voltaje y altas corriente, como fuentes de alimentación, unidades de motor y controles industriales.
Áreas de aplicación
Conversión y control de energía
Impulso del motor
Suministros de alimentación de modo conmutado
Electrónica industrial y automotriz
Ciclo de vida del producto
Este MOSFET es un producto activo y ampliamente utilizado en la industria.Las opciones de reemplazo o actualización están disponibles en el fabricante y otras fuentes.
Razones clave para elegir este producto
Excelente manejo y eficiencia de energía
Rendimiento robusto y confiable
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alto voltaje y de alta corriente
Solución rentable y fácilmente disponible
Respaldado por la calidad y experiencia de stmicroelectronics
STP16NF06 MOSSTMicroelectronics
STP16NE06FPSTCHN