Número de pieza del fabricante
Stgwa40h120df2
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor de energía IGBT de alto rendimiento para aplicaciones industriales y de consumo
Características del producto y rendimiento
Tecnología de parada de campo de trincheras
Bajo voltaje en estado
Velocidad de conmutación rápida
Alta densidad de potencia
Diseño robusto y confiable
Ventajas de productos
Eficiencia mejorada
Pérdidas de conmutación reducidas
Diseño compacto y de ahorro de espacio
Excelente rendimiento térmico
Parámetros técnicos clave
Desglose del emisor del recolector de voltaje (máximo): 1200 V
Collector actual (IC) (Max): 80 A
VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC: 2.6V @ 15V, 40A
Tiempo de recuperación inversa (TRR): 488 ns
CARGA DE GATE: 158 NC
Colector de corriente pulsado (ICM): 160 A
Energía de conmutación: 1mj (encendido), 1.32mj (apagado)
TD (encendido/apagado) @ 25 ° C: 18NS/152NS
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseño robusto y confiable
Compatibilidad
Montaje en agujero
Tipo de entrada estándar
Áreas de aplicación
Aplicaciones industriales y de consumo
Impulso del motor
Fuente de alimentación
Inversores
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Ciclo de vida del producto
Oferta actual de productos
No se planea la interrupción
Reemplazos y actualizaciones disponibles
Varias razones clave para elegir este producto
Alta eficiencia y bajas pérdidas de conmutación
Diseño compacto y de ahorro de espacio
Excelente rendimiento térmico
Diseño robusto y confiable
Compatibilidad con varias aplicaciones industriales y de consumo
