Número de pieza del fabricante
Stgw80h65dfb
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor IGBT de alto rendimiento para aplicaciones de electrónica industrial y de energía
Características del producto y rendimiento
Tecnología IGBT de parada de campo de trinchera
Voltaje de desglose del emisor de colector 650V
120A Corriente del coleccionista (Max)
Disipación de potencia de 469W (Max)
Cambio rápido con 85ns tiempo de recuperación inversa
VCE bajo (ON) de 2V @ 15V, 80A
414 NC GATE CARGA
Ventajas de productos
Alta densidad de potencia y eficiencia
Rendimiento resistente y confiable
Adecuado para aplicaciones industriales de alta potencia
Parámetros técnicos clave
Voltaje del emisor colector: 650V
Corriente del coleccionista: 120a
VCE (ON): 2V @ 15V, 80A
Tiempo de recuperación inversa: 85NS
Gate Charge: 414nc
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Calificado para aplicaciones industriales y automotrices
Diseñado para una operación segura y confiable
Compatibilidad
Paquete TO-247-3
Adecuado para una amplia gama de sistemas de electrónica de energía industrial
Áreas de aplicación
Impulso de motor industrial
Inversores e convertidores de energía
Equipo de soldadura
Sistemas HVAC
Sistemas de energía renovable
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción activa
No se identifican planes de interrupción identificada
Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el futuro
Razones clave para elegir este producto
Alta densidad de potencia y eficiencia
Rendimiento robusto y confiable
Adecuado para exigentes aplicaciones industriales
Conmutación rápida y baja VCE (encendido) para mejorar la eficiencia del sistema
Compatibilidad con un paquete ampliamente utilizado a 247
