Número de pieza del fabricante
STGW60H65FB
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Dispositivo de transistor bipolar de puerta aislada de alta potencia (IGBT)
Características del producto y rendimiento
Tecnología IGBT de parada de campo de trinchera
Bajas pérdidas de conducción y conmutación
Capacidad de conmutación de alta velocidad
Optimizado para aplicaciones de alta eficiencia y alta eficiencia
Ventajas de productos
Rendimiento robusto y confiable
Gestión térmica mejorada
Reducido el consumo de energía y una mayor eficiencia
Parámetros técnicos clave
Desglose del emisor de colección de voltaje (máximo): 650 V
Collector actual (IC) (Max): 80 A
VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC: 2.3V @ 15V, 60A
CARGA DE GATE: 306 NC
Colector de corriente pulsado (ICM): 240 A
Energía de conmutación: 1.09mj (encendido), 626J (apagado)
TD (encendido/apagado) @ 25 ° C: 51NS/160NS
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseñado para operaciones de alta fiabilidad y a largo plazo
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de aplicaciones de alta potencia
Áreas de aplicación
Impulso de motor industrial
Fuente de alimentación
Inversores
Suministros ininterrumpidos (UPS)
Equipo de soldadura
Calentamiento de inducción
Sistemas de control de tracción
Ciclo de vida del producto
Este producto es compatible activamente y no se acerca a la interrupción
Las opciones de reemplazo o actualización están disponibles en el fabricante
Varias razones clave para elegir este producto
Excelente eficiencia y rendimiento de conmutación de alta velocidad
Diseño robusto y confiable para aplicaciones exigentes
Gestión térmica optimizada para mejorar la confiabilidad del sistema
Amplia gama de soporte de aplicaciones y disponibilidad continua de productos
