Número de pieza del fabricante
Stgw60h65dfb
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Dispositivo de semiconductor de potencia IGBT (puerta de puerta aislada)
Características del producto y rendimiento
Tecnología IGBT de parada de campo de trinchera
Voltaje de emisor de colector con clasificación de 650V
Corriente de colector máximo 80A
375W Potencia máxima
VCE bajo (ON) de 2V @ 15V, 60A
Tiempo de recuperación inversa rápida de 60ns
CARGA DE GATE DE 306NC
Capacidad de manejo de alta corriente de la corriente del colector pulsado 240A
Ventajas de productos
Conmutación de encendido eficiente
Densidad de alta potencia
Rendimiento de conmutación rápida
Robusto y confiable
Parámetros técnicos clave
Desglose del emisor del recolector de voltaje (máximo): 650V
Collector actual (IC) (Max): 80a
VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC: 2V @ 15V, 60A
Tiempo de recuperación inversa (TRR): 60NS
Gate Charge: 306nc
Collector actual pulsado (ICM): 240a
Energía de conmutación: 1.09mj (encendido), 626J (apagado)
TD (encendido/apagado) @ 25 ° C: 51NS/160NS
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete To-247 para gestión térmica eficiente
Compatibilidad
Montaje en agujero
Áreas de aplicación
Sistemas de conversión de energía
Impulso del motor
Suministros ininterrumpidos (UPS)
Equipo de soldadura
Calentamiento de inducción
Electrodomésticos
Ciclo de vida del producto
Oferta actual de productos
Los reemplazos y las actualizaciones pueden estar disponibles en el futuro
Razones clave para elegir este producto
Diseño IGBT eficiente y de alto rendimiento
Operación robusta y confiable
Amplia gama de capacidades de manejo de potencia y corriente
Velocidad de conmutación rápida y bajas pérdidas de conmutación
Compatibilidad con varias aplicaciones electrónicas de energía
STGW60V60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 80A 375W TO247