Número de pieza del fabricante
Stgw50h60df
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor bipolar de puerta aislado de alto rendimiento (IGBT)
Adecuado para aplicaciones de conversión industrial y de energía
Características del producto y rendimiento
Tecnología IGBT de parada de campo de trinchera
Voltaje de emisor de colector (VCE) hasta 600V
Actual del coleccionista (IC) hasta 100A
Voltaje bajo en estado (VCE (ON)) de 1.8V @ 50A
Características de conmutación rápida
Tiempo de recuperación inverso (TRR) de 55NS
Ventajas de productos
Alta densidad de potencia
Conversión de potencia eficiente
Rendimiento confiable
Diseño compacto
Parámetros técnicos clave
Voltaje del emisor de colector (VCE): 600V
Corriente del coleccionista (IC): 100A
Voltaje en el estado (VCE (ON)): 1.8V @ 50A
Tiempo de recuperación inversa (TRR): 55NS
CARGA DE GATE: 217NC
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para aplicaciones de conversión industrial y de energía
Diseño robusto para operaciones confiables
Compatibilidad
Se puede utilizar en una variedad de aplicaciones industriales y conversión de energía
Áreas de aplicación
Impulso de motor industrial
Fuente de alimentación
Equipo de soldadura
Calentamiento de inducción
Inversores solares
Suministros ininterrumpidos (UPS)
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible
No hay información sobre la interrupción o los reemplazos
Razones clave para elegir este producto
Alta densidad de potencia y conversión eficiente de energía
Rendimiento confiable y robusto
Características de conmutación rápida para mejorar la eficiencia del sistema
Diseño compacto para aplicaciones con restricciones espaciales
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión industrial y de energía
