Número de pieza del fabricante
Stgw40v60df
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor IGBT de alta potencia y alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Tecnología IGBT de parada de campo de trinchera
Muy bajo caída de voltaje en el estado
Velocidad de conmutación rápida
Capacidad alta de cortocircuito
Bajas pérdidas de conmutación
Diseño robusto y confiable
Ventajas de productos
Conversión de potencia eficiente
Operación de alta frecuencia
Diseño compacto
Eficiencia mejorada del sistema
Parámetros técnicos clave
Desglose del emisor del colector de voltaje (máximo): 600 V
Collector actual (IC) (Max): 80 A
VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC: 2.3V @ 15V, 40A
Tiempo de recuperación inversa (TRR): 41 ns
CARGA DE GATE: 226 NC
Colector de corriente pulsado (ICM): 160 A
Energía de conmutación: 456J (encendido), 411J (apagado)
TD (encendido/apagado) @ 25 ° C: 52NS/208NS
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Cumple con los estándares de alta fiabilidad
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión de energía
Áreas de aplicación
Impulso del motor
Fuente de alimentación
Inversores
Suministros ininterrumpidos (UPS)
Equipo de soldadura
Automatización industrial
Ciclo de vida del producto
Este producto se encuentra actualmente en producción activa y no está cerca de la interrupción.
Los modelos de reemplazo o actualizados pueden estar disponibles en el futuro.
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento y eficiencia
Diseño confiable y robusto
Compacto y fácil de integrar
Adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia
Tecnología probada de un fabricante líder de semiconductores
STGW45HF60WDISTMicroelectronicsIGBT 600V 70A 250W TO247
STGW40NC60WDKSTM