Número de pieza del fabricante
STGW40NC60KD
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor IGBT de alta velocidad y alta velocidad
Características del producto y rendimiento
Optimizado para aplicaciones de conversión de energía de alta eficiencia y alta eficiencia
Diseño robusto y confiable
Bajas pérdidas de conducción y conmutación
Capacidad de conmutación rápida
Alta capacidad de manejo de corriente
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Ventajas de productos
Excelente rendimiento térmico
Eficiencia mejorada
Tamaño y peso reducidos del sistema
Parámetros técnicos clave
Voltaje del emisor de colector (VCE): 600 V
Currector Current (IC): 70 A
Voltaje de saturación del emisor colector (VCE (SAT)): 2.7 V @ 15 V, 30 A
Tiempo de recuperación inversa (TRR): 45 ns
Gate Charge (QG): 135 NC
Energía de conmutación (EON/EOFF): 595 μJ/716 μJ
Características de calidad y seguridad
Cumplimiento de ROHS
Diseñado para cumplir con los estándares de seguridad y confiabilidad
Compatibilidad
Adecuado para su uso en una variedad de aplicaciones de conversión de energía
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Suministros ininterrumpidos (UPS)
Equipo de soldadura
Automatización industrial
Sistemas de energía renovable
Ciclo de vida del producto
Este producto está actualmente disponible y no está a punto de interrumpir
Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el futuro
Razones clave para elegir este producto
Alta eficiencia y densidad de potencia
Rendimiento robusto y confiable
Capacidad de conmutación rápida para aplicaciones de alta frecuencia
Excelente gestión térmica para mejorar la confiabilidad del sistema
Compatibilidad con una amplia gama de aplicaciones de conversión de energía
STGW40NC60WDKSTM
STGW39NC60WDSTMicroelectronics