Número de pieza del fabricante
Std7n60dm2
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto voltaje en el paquete D-Pak (TO-252)
Parte de la serie Mdmesh DM2
Características del producto y rendimiento
Voltaje de fuente de drenaje de 600 V
Hasta 6A corriente de drenaje continuo a 25 ° C
Muy baja resistencia de 900mΩ @ 3a, 10V
Capacitancia de entrada extremadamente baja de 324pf @ 100V
Disipación máxima de potencia de 60W
Ventajas de productos
Excelente rendimiento de cambio de potencia
Alta fiabilidad y robustez
Paquete D-Pak compacto y térmicamente eficiente
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 600V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 900MΩ @ 3a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 6A @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 324pf @ 100V
Disipación de potencia (PD): 60W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta potencia de alto voltaje
Compatibilidad
Compatible con varios circuitos y sistemas electrónicos de alta potencia y alta potencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Balastos de iluminación inductiva
Controles industriales
Suministros ininterrumpidos (UPS)
Ciclo de vida del producto
Producto actual, sin planes de interrupción
Opciones de reemplazo o actualización disponibles en STMicroelectronics
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento de cambio de potencia con muy baja resistencia y capacitancia de entrada
Diseño altamente confiable y resistente para aplicaciones exigentes
Paquete D-Pak compacto y térmicamente eficiente
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C
Ciclo de vida de producto largo con opciones de reemplazo disponibles
STD7N65STMicroelectronics
STD7N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6A DPAK