Número de pieza del fabricante
Std7n52k3
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de canal de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Admite un alto voltaje de hasta 525V
Baja resistencia (RDS (ON)) de 980 MΩ
Capaz de manejar hasta 6A de corriente de drenaje continuo
Velocidad de conmutación rápida y carga baja para una operación eficiente
Amplio rango de temperatura de funcionamiento de hasta 150 ° C
Ventajas de productos
Excelente eficiencia energética y gestión térmica
Diseño resistente y confiable para aplicaciones industriales y automotrices
Integración perfecta con otros componentes del sistema
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDS): 525V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 980 MΩ
Corriente de drenaje continuo (ID): 6a
Capacitancia de entrada (CISS): 737 pf
Disipación de potencia (PD): 90W
Características de calidad y seguridad
ROHS-3 Cumple con la responsabilidad ambiental
Paquete DPAK duradero para un rendimiento robusto
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión de potencia y control
Áreas de aplicación
Equipo industrial
Sistemas automotrices
Fuente de alimentación
Inversores y unidades de motor
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción activa
No hay interrupción o obsolescencia planificadas
Varias razones clave para elegir este producto
Excelente manejo de energía y eficiencia para aplicaciones exigentes
Diseño confiable y resistente para entornos duros
Integración perfecta con otros componentes del sistema
Solución rentable para aplicaciones de alto volumen
Respaldado por la experiencia de STMicroelectronics y la Red de Soporte Global
STD7N65STMicroelectronics
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STD7N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6A DPAK