Número de pieza del fabricante
Std7ln80k5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto voltaje
Características del producto y rendimiento
Calificación de voltaje de fuente de drenaje de 800 V
Baja resistencia a 1.15Ω a 2.5a, 10V
Alta capacidad de corriente de 5A a 25 ° C
Capacitancia de entrada baja de 270pf a 100V
Disipación de alta potencia de 85W a 25 ° C
Ventajas de productos
Excelente rendimiento de conmutación
Manejo de alto voltaje y corriente
Alta densidad de potencia
Paquete DPAK compacto
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 800V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 1.15Ω a 2.5a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 5a a 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 270pf a 100V
Disipación de potencia: 85W a 25 ° C
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Calidad sólida de grado automotriz
Compatibilidad
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta potencia de alto voltaje
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Inversores
Electrodomésticos
Sistemas de control industrial
Ciclo de vida del producto
Producción actual
No se conocen planes de interrupción
Opciones de reemplazo/actualización disponibles
Razones clave para elegir
Excelente rendimiento de alto voltaje y alto corriente
Baja resistencia a alta eficiencia
Paquete DPAK compacto para diseños con restricciones espaciales
Robusto y confiable para aplicaciones exigentes
Calidad de grado automotriz y cumplimiento de ROHS
STD7N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STD7N65STMicroelectronics