Número de pieza del fabricante
STB20NM60T4
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de alto voltaje y alta potencia de canal de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Calificación de alto voltaje de hasta 600 V
Baja en resistencia de 290 Mohm
Capacidad de alta corriente de hasta 20a
Carga de puerta baja de 54 NC
Amplio rango de temperatura de funcionamiento de hasta 150 ° C
Ventajas de productos
Optimizado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Excelente eficiencia y gestión térmica
Paquete D2PAK compacto y confiable
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 600V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 290 Mohm
Corriente de drenaje continuo (ID): 20a
Capacitancia de entrada (CISS): 1500 pf
Disipación de potencia (PD): 192W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para aplicaciones críticas de seguridad
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de circuitos y sistemas de alta potencia y alta potencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Inversores
Equipo de soldadura
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible
No hay planes de interrupción
Varias razones clave para elegir este producto
Capacidades de alto voltaje y corriente
Excelente eficiencia y rendimiento térmico
Embalaje compacto y confiable
Adecuado para aplicaciones críticas de seguridad
Confiabilidad comprobada y disponibilidad a largo plazo
STB20NM50FDSTMicroelectronics
STB21N50C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)