- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
STx21NM50N(-1).pdfEspecificaciones tecnológicas STB21NM50N
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STB21NM50N con especificaciones similares a STMicroelectronics - STB21NM50N
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | D2PAK | |
| Serie | MDmesh™ II | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 190mOhm @ 9A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 140W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 25 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) | |
| Número de producto base | STB21N |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STB21NM50N
| Atributo del producto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | STB21NM50N-1 | STB21NM60ND | STB21NM60N | STB21NM60N-1 |
| Fabricante | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Temperatura de funcionamiento | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Serie | - | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Tecnología | - | - | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | - | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | - | - | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Número de producto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
Descargue las hojas de datos PDF STB21NM50N y la documentación STMicroelectronics para STB21NM50N - STMicroelectronics.
STB21NM60ND MOSSTMicroelectronics
STB21N65M5 21N65M5STMicroelectronics
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STB21N50C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
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STB21NK50Z MOSSTMicroelectronicsSu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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