- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
STx20NM60(-1,FP).pdfEspecificaciones tecnológicas STB20NM60-1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STB20NM60-1 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STB20NM60-1
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | I2PAK | |
| Serie | MDmesh™ | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 192W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Paquete | Tube |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 54 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) | |
| Número de producto base | STB20N |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STB20NM60-1
| Atributo del producto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | STB20NM60-1 | 2N3778 | 2N3776 | 2N3777 |
| Fabricante | STMicroelectronics | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Vgs (Max) | ±30V | - | - | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | 192W (Tc) | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Número de producto base | STB20N | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Serie | MDmesh™ | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | I2PAK | TO-5 | TO-5AA | TO-5AA |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 54 nC @ 10 V | - | - | - |
| Tipo FET | N-Channel | - | - | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | - | - | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Paquete | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 10V | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600 V | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF STB20NM60-1 y la documentación STMicroelectronics para STB20NM60-1 - STMicroelectronics.
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| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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