Número de pieza del fabricante
Stu7n80k5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto voltaje
Características del producto y rendimiento
Voltaje de bloqueo alto de hasta 800 V
Baja resistencia de 1.2Ω a 3a, 10V
Carga de puerta baja de 13.4 nc a 10 V
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C
Alta capacidad de corriente de 6a a 25 ° C
Ventajas de productos
Excelente eficiencia energética
Alta fiabilidad
Diseño robusto y resistente
Adecuado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 800V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 1.2Ω a 3a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 6a a 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 360pf a 100V
Disipación de potencia (TC): 110W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Cumple con los estándares de seguridad de la industria
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Automatización industrial
Electrodomésticos
Circuitos de iluminación y controlador LED
Ciclo de vida del producto
Este producto está disponible activamente y no está a punto de interrumpir.
Las opciones de reemplazo o actualización están disponibles en el fabricante.
Razones clave para elegir este producto
Capacidad de alto voltaje y corriente
Baja resistencia a la eficiencia mejorada
Diseño robusto y confiable para aplicaciones de alto estrés
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Certificaciones de cumplimiento y seguridad de ROHS
STU7N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A IPAK