- Jess***Jones
- 17/04/2026
Embalaje de PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdfDiseño/especificación de PCN
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $0.726 | $0.73 |
Especificaciones tecnológicas STU7N65M6
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STU7N65M6 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STU7N65M6
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.75V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | I-PAK | |
| Serie | MDmesh™ M6 | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 990mOhm @ 2.5A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 60W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Paquete | Tube |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 100 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6.9 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) | |
| Número de producto base | STU7N65 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STU7N65M6
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
|---|---|---|
| Número de pieza | STU7N65M6 | AP6982M-HF |
| Fabricante | STMicroelectronics | APEC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) | - |
| Tipo FET | N-Channel | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - |
| Vgs (Max) | ±25V | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Paquete del dispositivo | I-PAK | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.75V @ 250µA | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| Característica de FET | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 990mOhm @ 2.5A, 10V | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 100 V | - |
| Serie | MDmesh™ M6 | - |
| La disipación de energía (máximo) | 60W (Tc) | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650 V | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6.9 nC @ 10 V | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | - |
| Paquete | Tube | - |
| Paquete / Cubierta | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | - |
| Número de producto base | STU7N65 | - |
Descargue las hojas de datos PDF STU7N65M6 y la documentación STMicroelectronics para STU7N65M6 - STMicroelectronics.
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| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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