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STS4NF100 - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STS4NF100
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STS4NF100
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 4A 8SO
Embalaje
8-SOIC
Ficha de datos
1.STS4NF100.pdf ...

Hojas de datos

STS4NF100.pdf

PCN obsolescencia/ EOL

Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STS4NF100
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STS4NF100 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STS4NF100

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SOIC  
Serie STripFET™ II  
RDS (Max) @Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)  
Número de producto base STS4N  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

Sts4nf100

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

MOSFET de canal N de alto rendimiento para aplicaciones de gestión de energía y conmutación

Características del producto y rendimiento

Voltaje de drenaje a fuente de 100V

Baja resistencia de 70mΩ @ 2a, 10V

Corriente de drenaje continuo de 4a a 25 ° C

Capacitancia de entrada de 870pf @ 25V

Disipación de potencia de hasta 2.5W

Rango de temperatura de funcionamiento de -55 ° C a 150 ° C

Ventajas de productos

Excelente eficiencia energética y rendimiento térmico

Capacidad de manipulación de alto voltaje y corriente

Paquete de montaje de superficie 8-Soic compacto

Adecuado para aplicaciones de gestión de energía y conmutación

Parámetros técnicos clave

VDSS: 100V

VGS (máximo): ± 20V

RDS (ON) MAX: 70MΩ @ 2A, 10V

Id (cont)@25 ° C: 4a

CISS (max)@25V: 870pf

PD (máximo): 2.5W

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Adecuado para aplicaciones de alta fiabilidad

Compatibilidad

Compatible con una amplia gama de aplicaciones de administración de energía y conmutación

Áreas de aplicación

Fuente de alimentación

Impulso del motor

Control de iluminación

Equipo de telecomunicaciones

Automatización industrial

Ciclo de vida del producto

Este producto está actualmente en producción y ampliamente disponible

Los reemplazos y las actualizaciones pueden estar disponibles en el futuro

Razones clave para elegir este producto

Excelente eficiencia energética y rendimiento térmico

Capacidad de manipulación de alto voltaje y corriente

Paquete de montaje en superficie compacto

Idoneidad para una amplia gama de aplicaciones de gestión de energía y conmutación

Disponibilidad y confiabilidad

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STS4NF100

Atributo del producto STS4NF100 STS4DPFS30L STS4DNFS30 STS4DNFS30L
Número de pieza STS4NF100 STS4DPFS30L STS4DNFS30 STS4DNFS30L
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 30 V 30 V 30 V
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V
Paquete del dispositivo 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
RDS (Max) @Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 10V 55mOhm @ 2.5A, 10V 55mOhm @ 2A, 10V 55mOhm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±16V
Característica de FET - Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 41 nC @ 10 V 16 nC @ 5 V 4.7 nC @ 5 V 9 nC @ 5 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc) 5A (Tc) 4.5A (Tc) 4A (Tc)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie STripFET™ II STripFET™ STripFET™ STripFET™
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc) 2W (Tc) 2W (Tc)
Número de producto base STS4N STS4D STS4D STS4D

STS4NF100 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STS4NF100 y la documentación STMicroelectronics para STS4NF100 - STMicroelectronics.

Hojas de datos
STS4NF100.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    19/06/2024

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    19/06/2024

    Morrey was very helpful and right on top of things!
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Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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