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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTS4DNFS30L
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STS4DNFS30L - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STS4DNFS30L
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STS4DNFS30L
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
Embalaje
8-SOIC
Ficha de datos
1.STS4DNFS30L.pdf ...

Hojas de datos

STS4DNFS30L.pdf

PCN obsolescencia/ EOL

Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STS4DNFS30L
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STS4DNFS30L con especificaciones similares a STMicroelectronics - STS4DNFS30L

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SOIC  
Serie STripFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET Schottky Diode (Isolated)  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)  
Número de producto base STS4D  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

Sts4dnfs30l

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

Producto de semiconductores discretos

FET de un solo transistor, Mosfet

Características del producto y rendimiento

Mosfet de canal N

Diodo Schottky (aislado)

Drenaje de 30 V al voltaje de fuente (VDSS)

± 16 V de la puerta al voltaje de fuente (VGS)

55mΩ en resistencia (RDS (ON)) a 2A, 10V

4A Corriente de drenaje continuo (ID) a 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS) de 330pf a 25V

Cargo de la puerta de 9 NC (QG) a 5V

-55 ° C a 150 ° C Temperatura de funcionamiento

Ventajas de productos

Baja resistencia a la conmutación eficiente de alimentación

Diodo schottky aislado para conducción inversa

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Parámetros técnicos clave

Tecnología MOSFET

Paquete 8-soico

Embalaje de cinta y carrete

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Compatibilidad

Montaje en la superficie

Áreas de aplicación

Conversión de potencia

Control del motor

Carga de la batería

Conmutación de propósito general

Ciclo de vida del producto

Producción actual

Reemplazos y actualizaciones disponibles

Razones clave para elegir

Excelente rendimiento y eficiencia

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

PAQUETA DE SEXTRING 8-SOICO

Cumplimiento de ROHS3 para uso ecológico

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STS4DNFS30L

Atributo del producto STS4DNFS30L STS4NF100 STS4DNFS30 STS4DPFS30L
Número de pieza STS4DNFS30L STS4NF100 STS4DNFS30 STS4DPFS30L
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±16V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc) 4A (Tc) 4.5A (Tc) 5A (Tc)
La disipación de energía (máximo) 2W (Tc) 2.5W (Ta) 2W (Tc) 2.5W (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 100 V 30 V 30 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V
Característica de FET Schottky Diode (Isolated) - Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Número de producto base STS4D STS4N STS4D STS4D
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V 70mOhm @ 2A, 10V 55mOhm @ 2A, 10V 55mOhm @ 2.5A, 10V
Serie STripFET™ STripFET™ II STripFET™ STripFET™
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9 nC @ 5 V 41 nC @ 10 V 4.7 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V

STS4DNFS30L Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STS4DNFS30L y la documentación STMicroelectronics para STS4DNFS30L - STMicroelectronics.

Hojas de datos
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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    19/06/2024

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    19/06/2024

    Morrey was very helpful and right on top of things!
    He replied quickly to my RFQ. He was very courteous and professional.

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Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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