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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTQ2HNK60ZR-AP
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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Método de pago

STQ2HNK60ZR-AP - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STQ2HNK60ZR-AP
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STQ2HNK60ZR-AP
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Embalaje
TO-92-3
Ficha de datos
1.STQ2HNK60ZR-AP.pdf ...

Hojas de datos

STx2HNK60Z(x).pdf

Diseño/especificación de PCN

Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf

Ensamblaje de PCN/origen

New molding compound 11/Jul/2019.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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500+ $0.21 $105.00
1000+ $0.206 $206.00
Los precios anteriores no incluyen impuestos ni gastos de transporte, que se calcularán en las páginas de pedido.
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Método de pago
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STQ2HNK60ZR-AP
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STQ2HNK60ZR-AP con especificaciones similares a STMicroelectronics - STQ2HNK60ZR-AP

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-92-3  
Serie SuperMESH™  
RDS (Max) @Id, Vgs 4.8Ohm @ 1A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Paquete Cut Tape (CT)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Tc)  
Número de producto base STQ2HNK60  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

STQ2HNK60ZR-AP

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

Supermesh MOSFET de alto voltaje y baja resistencia a la N-canal

Características del producto y rendimiento

Baja resistencia a las bajas pérdidas de conducción

Capacidad de alto voltaje de hasta 600 V

El rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C

Carga de puerta baja para conmutación rápida

Diseño resistente y confiable

Ventajas de productos

Excelente eficiencia energética

Adecuado para aplicaciones de alto voltaje

Rendimiento térmico robusto

Conmutación rápida y eficiente

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600V

Voltaje máximo de fuente de puerta (VGS): ± 30V

En resistencia (RDS (ON)): 4.8Ω @ 1a, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID): 500 mA a 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS): 280pf @ 25V

Disipación de potencia (TC): 3W

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Adecuado para entornos duros

Rendimiento confiable y duradero

Compatibilidad

Compatible con una amplia gama de aplicaciones electrónicas

Áreas de aplicación

Suministros de alimentación de modo de interruptor

Impulso del motor

Luz de las balastos de iluminación

Electrónica industrial

Electrónica automotriz

Ciclo de vida del producto

Este producto está actualmente en producción activa

Las opciones de reemplazo o actualización están disponibles

Razones clave para elegir este producto

Excelente eficiencia energética y bajas pérdidas de conducción

Adecuado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia

Rendimiento térmico robusto y amplio rango de temperatura de funcionamiento

Conmutación rápida y eficiente para mejorar el rendimiento del sistema

Diseño confiable y duradero para mejorar la confiabilidad del sistema

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP

Atributo del producto STQ2NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP STQ3NK50ZR-AP STQ1NK80ZR-AP
Número de pieza STQ2NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP STQ3NK50ZR-AP STQ1NK80ZR-AP
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie - - - -
Tipo FET - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs - - - -
Número de producto base - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
La disipación de energía (máximo) - - - -
Característica de FET - - - -
Vgs (Max) - - - -
Paquete / Cubierta - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Paquete del dispositivo - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
Tipo de montaje - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las - - - -
Temperatura de funcionamiento - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
VGS (th) (Max) @Id - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Tecnología - - - -
Paquete - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs - - - -

STQ2HNK60ZR-AP Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STQ2HNK60ZR-AP y la documentación STMicroelectronics para STQ2HNK60ZR-AP - STMicroelectronics.

Hojas de datos
STx2HNK60Z(x).pdf
Diseño/especificación de PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Ensamblaje de PCN/origen
New molding compound 11/Jul/2019.pdf
Embalaje de PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    19/06/2024

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    19/06/2024

    Morrey was very helpful and right on top of things!
    He replied quickly to my RFQ. He was very courteous and professional.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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