- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
ST(D,Q)3NK50Z(R-AP,-1).pdfEspecificaciones tecnológicas STQ3NK50ZR-AP
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STQ3NK50ZR-AP con especificaciones similares a STMicroelectronics - STQ3NK50ZR-AP
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 50µA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | TO-92-3 | |
| Serie | SuperMESH™ | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.3Ohm @ 1.15A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 3W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
| Paquete | Tape & Box (TB) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Tc) | |
| Número de producto base | STQ3 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STQ3NK50ZR-AP
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | STQ3NK50ZR-AP | 2010-1391 | 2010-1392 | 2010-1307 |
| Fabricante | STMicroelectronics | WAGO Corporation | WAGO Corporation | WAGO Corporation |
| La disipación de energía (máximo) | 3W (Tc) | - | - | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | TO-92-3 | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500 V | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| Tipo FET | N-Channel | - | - | - |
| Serie | SuperMESH™ | TOPJOB®S | TOPJOB®S | TOPJOB®S |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 50µA | - | - | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | - | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Tc) | - | - | - |
| Paquete | Tape & Box (TB) | Bulk | Bulk | Bulk |
| Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | - | - | - |
| Número de producto base | STQ3 | 2010-139 | 2010-139 | 2010-130 |
| Vgs (Max) | ±30V | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.3Ohm @ 1.15A, 10V | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF STQ3NK50ZR-AP y la documentación STMicroelectronics para STQ3NK50ZR-AP - STMicroelectronics.
2010-1391WAGO CorporationEND AND INTERMEDIATE PLATE; 1 MM
2010-1392WAGO CorporationEND AND INTERMEDIATE PLATE; 1 MM
2010-1309WAGO Corporation3-CONDUCTOR THROUGH TERMINAL BLO
2010-1511-017Radiall USA, Inc.SMB / RIGHT ANGLE JACK MALE GOLD
2010-150R-1UNIOHMSu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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