Número de pieza del fabricante
STP6N95K5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET en modo de mejora de alto voltaje de canal en un paquete TO20
Características del producto y rendimiento
Capacidad de alto voltaje de hasta 950 V
Baja resistencia de 1.25Ω
Corriente de drenaje continuo de 9a a 25 ° C
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C
Carga de puerta baja de 13 nc a 10v
Ventajas de productos
Excelente fiabilidad y robustez
Alta eficiencia y bajas pérdidas de energía
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alto voltaje
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 950V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 1.25Ω @ 3a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 9a @ 25 ° C
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete TO-220 para gestión térmica confiable
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Luz de las balastos de iluminación
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Este producto está actualmente en producción y no está cerca de la interrupción.
Los productos de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el futuro.
Razones clave para elegir este producto
Capacidad de manipulación de voltaje excepcional de hasta 950 V
Baja resistencia a alta eficiencia y bajas pérdidas de energía
Amplio rango de temperatura de funcionamiento para un rendimiento confiable
Diseño robusto y confiable para aplicaciones industriales y de consumo
Compatibilidad con una variedad de aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
STP6NB80STMicroelectronics
STP6N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 4.5A TO220