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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTP6N65M2
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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STP6N65M2 - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STP6N65M2
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STP6N65M2
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Embalaje
TO-220
Ficha de datos
1.STP6N65M2.pdf ...

Hojas de datos

ST(F,P,U)6N65M2.pdf

PCN obsolescencia/ EOL

Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf

Diseño/especificación de PCN

Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf

Ensamblaje de PCN/origen

Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STP6N65M2
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STP6N65M2 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STP6N65M2

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220  
Serie MDmesh™  
RDS (Max) @Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 60W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 226 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)  
Número de producto base STP6N  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

STP6N65M2

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

Transistor MOSFET MOSFET de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de conversión y control de energía.

Características del producto y rendimiento

Voltaje de desglose alto de 650V

Baja resistencia (RDS (ON)) de 1.35Ω @ 2a, 10V

Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C

Capacitancia de entrada baja de 226pf @ 100V

Corriente de drenaje continuo de 4a a 25 ° C

Disipación de potencia de hasta 60 W

Ventajas de productos

Excelente rendimiento para la conversión y control de energía

Alta eficiencia y baja pérdida de energía

Diseño robusto y confiable para aplicaciones exigentes

Compatibilidad con una amplia gama de sistemas y voltajes

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 650V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V

Voltaje umbral (VGS (TH)): 4V @ 250a

En resistencia (RDS (ON)): 1.35Ω @ 2a, 10V

Capacitancia de entrada (CISS): 226pf @ 100V

Disipación de potencia (TC): 60W

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Cumple con los estrictos estándares de calidad y confiabilidad

Operación segura y confiable en varias aplicaciones

Compatibilidad

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión y control de energía

Compatible con varios sistemas electrónicos industriales, automotrices y de consumo

Áreas de aplicación

Fuente de alimentación

Impulso del motor

Inversores

Reguladores de conmutación

Automatización y control industrial

Ciclo de vida del producto

Actualmente en producción activa

No se anuncia la interrupción o los planes de fin de vida

Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el futuro

Razones clave para elegir este producto

Alto rendimiento y eficiencia para la conversión y control de energía

Diseño robusto y confiable para aplicaciones exigentes

Amplio rango de temperatura de funcionamiento y compatibilidad

Cumple con los estándares y regulaciones de la industria para la calidad y la seguridad.

Solución rentable para varias aplicaciones electrónicas de energía

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STP6N65M2

Atributo del producto STP6N60M2 STP6N62K3 STP6N52K3 STP6N95K5
Número de pieza STP6N60M2 STP6N62K3 STP6N52K3 STP6N95K5
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Paquete / Cubierta - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs - - - -
Paquete - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Número de producto base - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las - - - -
Tipo FET - - - -
Vgs (Max) - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Tecnología - - - -
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @Id - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs - - - -
Tipo de montaje - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Temperatura de funcionamiento - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C - - - -
Paquete del dispositivo - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) - - - -

STP6N65M2 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STP6N65M2 y la documentación STMicroelectronics para STP6N65M2 - STMicroelectronics.

Hojas de datos
ST(F,P,U)6N65M2.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Diseño/especificación de PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Ensamblaje de PCN/origen
Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    19/06/2024

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    19/06/2024

    Morrey was very helpful and right on top of things!
    He replied quickly to my RFQ. He was very courteous and professional.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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