Número de pieza del fabricante
STP200NF04L
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento
Parte de la serie Stripfet II
Características del producto y rendimiento
Extremo baja en resistencia
Capacidad de manejo de alta potencia
Velocidad de conmutación rápida
Optimizado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y alta corriente
Ventajas de productos
Excelente estabilidad térmica
Eficiencia energética superior
Disipación de potencia reducida
Paquete compacto y robusto
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 40V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 16V
En resistencia (RDS (ON)): 3.8MΩ @ 50A, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 120a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 6400pf @ 25V
Disipación de potencia (TC): 300W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseño confiable y robusto
Excelente gestión térmica
Compatibilidad
Compatible con varias aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y alta corriente
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Inversores
Convertidores
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Producto actual, no se planea la interrupción
Opciones de reemplazo o actualización disponibles
Razones clave para elegir este producto
Rendimiento y eficiencia excepcionales
Paquete compacto y confiable
Optimizado para aplicaciones de alta frecuencia y alta corriente
Excelente estabilidad térmica y manejo de potencia
Cumple con la seguridad de la industria y los estándares ambientales
STP200NF03 MOSSTMicroelectronics
STP20N10LVBSEMI