- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
STx200N6F3.pdfPCN obsolescencia/ EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdfEspecificaciones tecnológicas STP200N6F3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STP200N6F3 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STP200N6F3
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | TO-220 | |
| Serie | STripFET™ | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.9mOhm @ 60A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 330W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 | |
| Paquete | Tube |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6800 pF @ 25 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) | |
| Número de producto base | STP200 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STP200N6F3
| Atributo del producto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | STP200N6F3 | 2N5339P | 2N5339QFN | 2N5339 |
| Fabricante | STMicroelectronics | Microchip Technology | Microchip Technology | Central Semiconductor Corp |
| Tipo FET | N-Channel | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60 V | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.9mOhm @ 60A, 10V | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6800 pF @ 25 V | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 200°C | -55°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Paquete del dispositivo | TO-220 | TO-39 (TO-205AD) | TO-39 (TO-205AD) | TO-39 |
| La disipación de energía (máximo) | 330W (Tc) | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | - | - | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Paquete | Tube | Bulk | Bulk | Box |
| Serie | STripFET™ | - | - | - |
| Número de producto base | STP200 | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF STP200N6F3 y la documentación STMicroelectronics para STP200N6F3 - STMicroelectronics.
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| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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