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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTP165N10F4
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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OPCIóN EXPRESA
Método de pago

STP165N10F4 - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STP165N10F4
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STP165N10F4
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Embalaje
TO-220
Ficha de datos
1.STP165N10F4.pdf ...

PCN obsolescencia/ EOL

Mult Dev OBS 27/Sep/2021.pdf

Diseño/especificación de PCN

Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf

Ensamblaje de PCN/origen

New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STP165N10F4
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STP165N10F4 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STP165N10F4

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220  
Serie DeepGATE™, STripFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 5.5mOhm @ 60A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 315W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10500 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Número de producto base STP165  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

STP165N10F4

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento con baja resistencia en el estado y velocidad de conmutación rápida.Diseñado para aplicaciones de conversión de potencia de modificación de interruptor de alta potencia de alta potencia.

Características del producto y rendimiento

MOSFET de canal N con baja resistencia en el estado

Velocidad de conmutación rápida para mejorar la eficiencia

Carga de puerta optimizada para una unidad eficiente

Diseño resistente con alta capacidad de energía de avalancha

Adecuado para aplicaciones de conversión de potencia de modificación de interruptor de alta potencia y alta potencia

Ventajas de productos

Eficiencia mejorada de conversión de energía

Pérdidas de potencia reducidas

Fiabilidad mejorada del sistema

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 100V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 20V

Resistencia en el estado (RDS (ON)): 5.5MΩ @ 60A, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID): 120A @ 25 ° C (TC)

Capacitancia de entrada (CISS): 10,500pf @ 25V

Disipación de potencia (PD): 315W @ 25 ° C (TC)

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Diseñado y fabricado con estándares de alta calidad

Compatibilidad

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión de potencia de modificación de alta potencia y alta potencia

Áreas de aplicación

Suministros de alimentación de modo de interruptor

Impulso del motor

Electrónica industrial

Equipo de soldadura

Sistemas de energía renovable

Ciclo de vida del producto

Este producto está actualmente en producción y no está cerca de la interrupción.

Las opciones de reemplazo o actualización están disponibles en el fabricante.

Razones clave para elegir este producto

Excelente eficiencia de conversión de energía y bajas pérdidas de energía

Velocidad de conmutación rápida para mejorar el rendimiento del sistema

Diseño resistente con alta capacidad de energía de avalancha

Carga de puerta optimizada para una unidad eficiente

Diseñado y fabricado con estándares de alta calidad

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STP165N10F4

Atributo del producto STP15NM65N STP160N4LF6 STP160N75F3 STP160N3LL
Número de pieza STP15NM65N STP160N4LF6 STP160N75F3 STP160N3LL
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tipo de montaje - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs - - - -
Temperatura de funcionamiento - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Paquete / Cubierta - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Tipo FET - - - -
Tecnología - - - -
Vgs (Max) - - - -
Número de producto base - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C - - - -
La disipación de energía (máximo) - - - -
VGS (th) (Max) @Id - - - -
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Paquete del dispositivo - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las - - - -
Paquete - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Serie - - - -

STP165N10F4 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STP165N10F4 y la documentación STMicroelectronics para STP165N10F4 - STMicroelectronics.

PCN obsolescencia/ EOL
Mult Dev OBS 27/Sep/2021.pdf
Diseño/especificación de PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Ensamblaje de PCN/origen
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Embalaje de PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    19/06/2024

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    19/06/2024

    Morrey was very helpful and right on top of things!
    He replied quickly to my RFQ. He was very courteous and professional.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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