Número de pieza del fabricante
Stl60n10f7
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de alto rendimiento N-canal con baja capacidad en resistencia y alta corriente para una amplia gama de aplicaciones de gestión de energía.
Características del producto y rendimiento
Voltaje de drenaje a fuente de 100V
18mΩ máxima de resistencia a 6a, 10V
46A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C
Rango de temperatura amplia: -55 ° C a 175 ° C
Capacitancia de entrada baja de 1640pf a 50V
Disipación máxima de potencia de 5W a 25 ° C, 72W a 100 ° C
Ventajas de productos
Excelente eficiencia y rendimiento térmico
Optimizado para aplicaciones de alta corriente y de alta frecuencia
Diseño robuste para entornos duros
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 100V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 20V
En resistencia (RDS (ON)): 18MΩ @ 6a, 10V
Corriente de drenaje (ID): 46a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 1640pf @ 50V
Disipación de potencia (PD): 5W @ 25 ° C, 72W @ 100 ° C
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseñado y fabricado a estándares de alta calidad
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de gestión de energía, que incluyen fuentes de alimentación, unidades de motor y controles industriales.
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Controles industriales
Circuitos de gestión de energía
Ciclo de vida del producto
Producto actual, que no está a punto de interrumpir
Se lanzan reemplazos y actualizaciones disponibles como productos de generación más reciente
Razones clave para elegir este producto
Excelente eficiencia y rendimiento térmico para aplicaciones de alta corriente y de alta frecuencia
Diseño robuste para entornos duros
Optimizado para aplicaciones de gestión de energía con alta confiabilidad y larga vida útil
Cumplimiento de ROHS3 para aplicaciones ecológicas
STL6110Samsung Semiconductor
STL57N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
STL6118-33S5-TRG1149