Número de pieza del fabricante
Stl57n65m5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto voltaje en paquete Powerflat (8x8)
Características del producto y rendimiento
Calificación de voltaje de drenaje a fuente de 650V
Baja resistencia de 69mΩ
Alta corriente de drenaje continuo de 4.3A (TA) y 22.5A (TC)
Capacitancia de entrada baja de 4200pf
Disipación de alta potencia de 2.8W (TA) y 189W (TC)
Cambio rápido con una carga de puerta baja de 110 nc
Ventajas de productos
Excelente rendimiento de alto voltaje
Conversión de energía altamente eficiente
Paquete compacto y térmicamente eficiente
Operación robusta y confiable
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 650V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 69mΩ
Corriente de drenaje continuo (ID): 4.3a (TA), 22.5a (TC)
Capacitancia de entrada (CISS): 4200pf
Disipación de potencia: 2.8W (TA), 189W (TC)
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para aplicaciones de alta fiabilidad
Compatibilidad
Paquete de montaje en superficie (Powerflat 8x8 HV)
Compatible con controladores MOSFET estándar y circuitos de control
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo conmutado
Impulso del motor
Calentamiento inductivo
Electrodomésticos industriales y caseros
Conductores de iluminación y LED
Ciclo de vida del producto
Modelo de producción actual
Opciones de reemplazo o actualización disponibles en STMicroelectronics
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento y eficiencia de alto voltaje
Paquete compacto y térmicamente eficiente
Operación robusta y confiable
Compatibilidad con el controlador MOSFET estándar y los circuitos de control
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión de energía
STL56N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT
STL60N3LLHVBSEMI
STL60N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT