Número de pieza del fabricante
STF18N65M2
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de canal N de alto rendimiento con baja resistencia a la resistencia y calificación de alto voltaje
Características del producto y rendimiento
Optimizado para una conversión y control de potencia eficientes
Extremadamente baja resistencia a baja pérdida de energía
Calificación de alto voltaje de hasta 650V
Baja carga de puerta y conmutación rápida
Ventajas de productos
Excelente eficiencia energética
Alta fiabilidad y robustez
Adecuado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 650V
Voltaje máximo de fuente de puerta (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 330MΩ @ 6a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 12a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 770pf @ 100V
Disipación de potencia (TC): 25W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseñado para aplicaciones de alta fiabilidad
Compatibilidad
Montaje en agujeros (paquete de 220-3)
Compatible con varios circuitos de alto voltaje y alta potencia
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Inversores
Suministros de alimentación de modo conmutado
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción
No hay información sobre la interrupción o los modelos de reemplazo disponibles
Razones clave para elegir este producto
Excelente eficiencia energética y baja pérdida de energía
Calificación de alto voltaje y resistencia para aplicaciones exigentes
Adecuado para una amplia gama de circuitos de alta potencia y alto voltaje
Confiabilidad y rendimiento comprobados de un fabricante de buena reputación
