Número de pieza del fabricante
Std3n40k3
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto voltaje con tecnología Supermesh3
Características del producto y rendimiento
Capacidad de alto voltaje de hasta 400 V
Baja resistencia a 3.4Ω
Capacitancia de entrada baja de 165pf
Alta corriente de drenaje continuo hasta 2A
El rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y alta eficiencia
Ventajas de productos
Excelente eficiencia energética y rendimiento térmico
Paquete de montaje de superficie DPAK compacto
ROHS3 Cumplante
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 400V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 3.4Ω
Corriente de drenaje continuo (ID): 2a
Capacitancia de entrada (CISS): 165pf
Disipación de potencia (TC): 30W
Características de calidad y seguridad
Cumple con la Directiva ROHS3
Diseño de paquete DPAK confiable
Compatibilidad
Se puede usar como reemplazo o actualización para productos de potencia de potencia N similares
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Electrónica industrial y de consumo
Aplicaciones de iluminación y conversión de energía
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción, no hay planes de interrupción.Opciones de reemplazo y actualización disponibles.
Razones clave para elegir este producto
Alto voltaje y baja resistencia a la conversión de energía eficiente
Paquete DPAK compacto para diseños con restricciones espaciales
Amplio rango de temperatura de funcionamiento para aplicaciones exigentes
Cumplimiento de ROHS3 para uso ecológico
Rendimiento confiable y ciclo de vida de producto largo
STD38NH02LT4-ESTMicroelectronics
STD3N95K5AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 2A DPAK
STD38NH02L-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 24V 38A IPAK
STD3N45K3STM