Número de pieza del fabricante
Std3ln80k5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
El STD3LN80K5 es un transistor MOSFET N-canal de alto rendimiento diseñado para su uso en una variedad de aplicaciones electrónicas de potencia.
Características del producto y rendimiento
Calificación de voltaje de drenaje a la fuente de 800V de 800V
Baja resistencia (RDS (ON)) de 3.25Ω a 1A, 10V
Corriente de drenaje continuo (id) de 2a a 25 ° C
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C
Capacitancia de entrada baja (CISS) de 102pf a 100V
Disipación máxima de potencia de 45W a 25 ° C
Ventajas de productos
Excelente eficiencia y pérdidas de energía reducidas
Diseño robusto para operaciones confiables
Versátil para su uso en varias aplicaciones de conversión de energía
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 800V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 30V
Voltaje umbral (VGS (TH)): 5V a 100A
En resistencia (RDS (ON)): 3.25Ω a 1A, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 2a a 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 102pf a 100V
Disipación de potencia (PD): 45W a 25 ° C
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete DPAK para disipación de calor eficiente
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Inversores
Equipo de soldadura
Automatización industrial
Ciclo de vida del producto
Este producto se encuentra actualmente en producción activa.
Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles a medida que evoluciona la tecnología.
Razones clave para elegir este producto
Alta eficiencia y bajas pérdidas de energía
Rendimiento robusto y confiable
Versátil para su uso en varias aplicaciones de conversión de energía
Excelente gestión térmica a través del paquete DPAK
Cumplimiento de las regulaciones de ROHS para la sostenibilidad ambiental
STD3N62K3 MOSSTMicroelectronics
STD3N45K3STM
STD38NH02L-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 24V 38A IPAK